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ZTX694B

Bipolar Transistors - BJT NPN Super E-Line 120 Volt VCEO IC=200mA

在庫：6,151

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概要 ZTX694B

Furthermore, the ZTX694B transistor has a maximum power dissipation (Ptot) of 1W and can handle pulsed currents up to 1A. It features a through-hole termination type and has a voltage rating of 120V for collector-base (Vcbo) operation

主な特長

  • Gain of 400 @ IC = 200mA
  • Very low saturation voltage
  • -55 to 200°C Operating temperature range

応用

  • Power Management
  • Motor Drive & Control
  • Computers & Computer Peripherals
  • Industrial
Diodes Incorporated Inventory

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT RoHS Details
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 120 V Collector- Base Voltage VCBO 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV
Maximum DC Collector Current 500 mA Pd - Power Dissipation 1 W
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 200 C Series ZTX694
Brand Diodes Incorporated Continuous Collector Current 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Height 4.01 mm Length 4.77 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 4000
Subcategory Transistors Technology Si
Width 2.41 mm Unit Weight 0.016000 oz

保証と返品

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