• packageimg
packageimg

2SK2731T146

Small Signal Field-Effect Transistor

在庫：8,572

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください 2SK2731T146 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 2SK2731T146

N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SMT3

主な特長

  • 1) Low on-resistance.
  • 2) Fast switching speed.
  • 3) Low-voltage drive (4V).
  • 4) Easily designed drive circuits.
  • 5) Easy to parallel.

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer ROHM CO LTD
Part Package Code SC-59 Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer ROHM Semiconductor
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2 A Drain Current-Max (ID) 0.2 A
Drain-source On Resistance-Max 4.5 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Manufacturer ROHM Semiconductor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 200 mA Rds On - Drain-Source Resistance 2.8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge - Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 200 mW
Channel Mode Enhancement Brand ROHM Semiconductor
Fall Time 20 ns Height 1.1 mm
Length 2.9 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 20 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 90 ns Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Width 1.6 mm Part # Aliases 2SK2731
Unit Weight 0.000282 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

IRLMS6802TRPBF

IRLMS6802TRPBF

Infineon MOSFET IRLMS6802TRPBF
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
CM200DU-12F

CM200DU-12F

N-channel IGBT module with 600V and 200A rating
FMMT497TA

FMMT497TA

FMMT497TA is a NPN transistor capable of handling up to 300V and 0.5A in a SOT23 package
CM50DY-12H

CM50DY-12H

Module with 50A N-Channel Transistor and 600V
ZVP3310F

ZVP3310F

P-channel MOSFET with a continuous drain current of 75mA and a source voltage of -100V, featuring an on resistance of 20ohm
BF720T1G

BF720T1G

Transistor - General Purpose Bipolar Junction Transistor (NPN) rated for 300V and 0
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RSQ035P03TR

RSQ035P03TR

The power dissipation of RSQ035P03TR is 1.25W at 2.5V and 1mA
FZ1600R12KF4

FZ1600R12KF4

N-Channel module-7 with a rating of 1600A I(C) and 1200V V(BR)CES