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2SK4097LS

The 2SK4097LS comes in a TO-220FI(LS) package and is compliant with ROHS standards

数量 単価(USD) 合計金額
1 $1.756 $1.76
200 $0.680 $136.00
500 $0.657 $328.50
1000 $0.644 $644.00

在庫：7,258

*価格は参考値です。
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概要 2SK4097LS

Housed in a TO-220SIS package, the 2SK4097LS provides excellent thermal performance and can be easily mounted to a heatsink for effective heat dissipation. Its compact size of 10.1mm x 8.5mm x 4.7mm makes it suitable for space-constrained applications

主な特長

  • High reliability and stability
  • Suitable for high-power applications
  • Low input capacitance and charge

応用

  • High-performance converters
  • Reliable switching solutions
  • Controlled industrial operations

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Packaging Bulk Part Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 30 V Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220FI(LS) Package / Case TO-220-3 Full Pack

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

IRG4BC30WPBF

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600V Voltage Rating IGBTs
MCH6661-TL-W

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Capable of handling up to 900mA continuous current and 800mW power dissipation
SUP70101EL-GE3

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3-Pin Power MOSFET for High Current Applications
IRLHM630TRPBF

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30V N-channel MOSFET capable of handling up to 21A in an 8-pin PQFN EP package
FZ1800R17KF4

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FZ1800R17KF4: An Insulated Gate Bipolar Transistor capable of handling currents up to 1800A and voltages up to 1700V
IGP03N120H2

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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
DMG1029SV-7

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The DMG1029SV-7 is a silicon N-channel MOSFET designed to operate at a maximum voltage of 60V, housed in an SOT-563 package
VS-50MT060WHTAPBF

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114 A max, 600 V
BUZ901D

BUZ901D

Magnatec BUZ901D N-channel MOSFET Transistor, 16 A, 200 V, 3-Pin TO-3
NVMFD5C674NLT1G

NVMFD5C674NLT1G

High-voltage MOSFET with low on-resistance in S08FL package