• packageimg
packageimg

VS-50MT060WHTAPBF

114 A max, 600 V

在庫：5,792

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください VS-50MT060WHTAPBF このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 VS-50MT060WHTAPBF

With a maximum pulsed current Icm of 350A and a continuous current Ic of 114A, this IGBT module offers high performance and reliability. The 600V collector emitter voltage V(br)ceo provides a robust insulation barrier, ensuring safe and reliable operation. Whether used in industrial machinery, automotive systems, or renewable energy applications, the VS-50MT060WHTAPBF IGBT module delivers the high power handling capabilities and rugged design needed for demanding applications

主な特長

  • Frequency Range 0.8 to 2.5 GHz
  • Ultra low jitter performance
  • Typical Jitter: 12fsec rms, 12kHz to 20MHz
  • 3.3 + 5V supply voltage
  • Output: Sinewave, balanced Sinewave, LVPECL
  • 9x14 mm SMD package
  • See table on Page 5 for standard frequencies

応用

  • High Speed ADCs
  • 40G & 100G Coherent Receivers
  • Test & Measurement

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Brand Vishay Semiconductors
Product Type IGBT Modules Series VS-xxMT
Factory Pack Quantity 15 Subcategory IGBTs
Technology Si Tradename HEXFRED
Part # Aliases 50MT060WHTAPBF Unit Weight 2.328081 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF

TSOP-6 packaged N-channel MOSFETs capable of 150V and 900mA with RoHS compliance
BTA08-600CWRG

BTA08-600CWRG

TRIAC 600V 8A(RMS) 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
SI1401EDH-T1-GE3

SI1401EDH-T1-GE3

MOSFET with -12V Drain-Source Voltage and 10V Gate-Source Voltage, in SC70-6 Package
SIRA99DP-T1-GE3

SIRA99DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

20V 50A Transistor
PD55015S

PD55015S

RF MOSFET Transistors N-Ch with a 40 Volt rating and 5 Amp capacity
EM6K7T2CR

EM6K7T2CR

High-performance Transistor for Various Applications
2ST501T

2ST501T

Darlington Transistors for Power Bipolar and Solid-State Signal Amplification"
BC141-10

BC141-10

Epitaxial Planar Transistors
STA406A

STA406A

STA406A is a high-performance Trans Darlington NPN transistor designed for automotive applications