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BC857CW,115

The BC857CW,115 transistor is suitable for a variety of electronic applications requiring PNP bipolar transistors

数量 単価(USD) 合計金額
20 $0.027 $0.54
200 $0.022 $4.40
600 $0.019 $11.40
3000 $0.017 $51.00
9000 $0.016 $144.00
21000 $0.015 $315.00

在庫：8,067

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概要 BC857CW,115

PNP general-purpose transistors in a very small SOT323 (SC-70), Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

主な特長

  • Silicon-controlled rectifier technology
  • High surge current capability
  • Operating temperature up to 150°C

応用

  • Perfect for DIY projects
  • Enhances signal quality
  • Compact design

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Nexperia Product Category Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SC-70-3 Transistor Polarity PNP
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 250 mV Maximum DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 200 mW Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Nexperia Continuous Collector Current - 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 420 DC Current Gain hFE Max 420 at 2 mA, 5 V
Height 1 mm Length 2.2 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Technology Si
Width 1.35 mm Part # Aliases 934021860115
Unit Weight 0.000988 oz Product Status Active
Transistor Type PNP Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Power - Max 200 mW Frequency - Transition 100MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-323 Base Product Number BC857

保証と返品

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