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BG3130RH6327XTSA1

Powerful and efficient dual mosfet transistor for robust performance"

在庫：7,161

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概要 BG3130RH6327XTSA1

RF Mosfet 5 V 14 mA 800MHz 24dB PG-SOT363-PO

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Mfr Infineon Technologies Series -
Package Tape & Reel (TR) Product Status Obsolete
Technology MOSFET Configuration 2 N-Channel (Dual)
Frequency 800MHz Gain 24dB
Voltage - Test 5 V Current Rating (Amps) 25mA
Noise Figure 1.3dB Current - Test 14 mA
Power - Output - Voltage - Rated 8 V
Mounting Type Surface Mount Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package PG-SOT363-PO Base Product Number BG3130

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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Channel 20V 14mOhm
DMP510DL-7

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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450V Silicon Isotop-4 Transistor
SSM6J507NU,LF

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Comes in tape and reel packaging for automated assembly
2N7000KL-TR1-E3

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2SJ616-TD-E

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P-Channel Silicon Power MOSFET 30V 6A 4-Pin SOT-89 Packaged in Tape and Reel
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Industry-standard TO- package with compact footprint and ease of handlin
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NXP - AFT05MS003NT1 - TRANSISTOR, RF, 30V, SOT-89-3
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Transistor with N-MOSFET technology, capable of handling up to 55V and 64A, in a TO220AB package with a power rating of 94W
MJE15029G

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MJE15029G Bipolar Transistors - BJT product information