BSC040N08NS5ATMA1

Name: BSC040N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

-Pin TDSON EP, Tape and Reel packaging

在庫：9,801

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部品番号 : BSC040N08NS5ATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSC040N08NS5ATMA1 データシート (PDF)
Series : BSC040N08NS5

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概要 BSC040N08NS5ATMA1

Infineon's BSC040N08NS5ATMA1, part of the OptiMOS 5 80V MOSFET series, is engineered to provide optimal performance in synchronous rectification for telecom and server power supplies. With a focus on reducing output capacitance and R DS(on), these MOSFETs are tailored for high switching frequency applications, resulting in minimized switching and conduction losses. The benefits of utilizing these MOSFETs include enhanced system efficiency, reduced voltage overshoot, and decreased need for paralleling. Moreover, their versatility allows for integration in various industrial applications, such as solar, low voltage drives, and adapters. In essence, the BSC040N08NS5ATMA1 offers a combination of features and benefits that make it an attractive choice for achieving superior performance and efficiency in power supply designs

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS 5	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 67µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-7
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	BSC040
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V	Qg - Gate Charge	43 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	104 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	6 ns
Forward Transconductance - Min	45 S	Height	1.27 mm
Length	5.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	8 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	BSC040N08NS5 SP001132452
Unit Weight	0.003683 oz

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