BSC0702LSATMA1

Name: BSC0702LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Transistor for efficient power management

数量	単価(USD)	合計金額
1	$1.087	$1.09
10	$0.924	$9.24
30	$0.844	$25.32
100	$0.763	$76.30
500	$0.581	$290.50
1000	$0.556	$556.00

在庫：5,137

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部品番号 : BSC0702LSATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSC0702LSATMA1 データシート (PDF)
Series : BSC0702LS

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概要 BSC0702LSATMA1

N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™	Product Status	Not For New Designs
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 49µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4400 pF @ 30 V
FET Feature	Standard	Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8	Package / Case	TDSON-8
Base Product Number	BSC0702	Manufacturer	Infineon
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	100 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.3 V
Qg - Gate Charge	30 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	83 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	5.4 ns	Forward Transconductance - Min	60 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	4.8 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	25 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.7 ns	Part # Aliases	BSC0702LS SP001589462
Unit Weight	0.004180 oz

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