BSC350N20NSFDATMA1

Name: BSC350N20NSFDATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-channel 200V 35A Transistor MOSFET in 8-pin TDSON EP package, supplied on tape and reel

在庫：9,744

90日間のアフター保証
365日の品質保証
正規品保証
7*24時間サービス検疫

部品番号 : BSC350N20NSFDATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSC350N20NSFDATMA1 データシート (PDF)
Series : BSC350N20NSFD

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください BSC350N20NSFDATMA1 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

購入数量*

連絡先*

連絡先メールアドレス*

会社

その他のニーズ

概要 BSC350N20NSFDATMA1

MOSFET, N-CH, 200V, 35A, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 150W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS Fast Diode	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2410 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	BSC350
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Id - Continuous Drain Current	35 A
Rds On - Drain-Source Resistance	31 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	30 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	150 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	4.8 ns
Forward Transconductance - Min	29 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	4.8 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns	Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Part # Aliases	BSC350N20NSFD SP001108124	Unit Weight	0.004220 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

QAと返品ポリシー

部品の品質保証: 365 日

返品・返金：90日以内

返品・交換：90日以内
配送と梱包

配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
支払い

たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。