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BSH103BKR

Product BSH103BKR description - BSH103BK - 30 V N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin

在庫：9,939

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概要 BSH103BKR

Featuring a N-channel design and a 30V drain-source voltage, the BSH103BKR MOSFET is a high-performance transistor suitable for a wide range of electronic applications. With a 1A continuous drain current rating and a surface mount configuration, this component offers easy integration and reliable operation. Its low Rds(on) test voltage of 4.5V and maximum gate source threshold voltage of 1V make it a dependable choice for projects requiring efficient power management. Additionally, its RoHS compliance ensures that it meets stringent environmental standards

主な特長

  • Superior accuracy
  • Rapid processing
  • Sophisticated algorithms
  • High precision
  • Advanced encryption

応用

  • Wide voltage range
  • Flexible configuration
  • Reliable operation

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Nexperia Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-23-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 1 A
Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.25 V Qg - Gate Charge 800 pC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2.1 W Channel Mode Enhancement
Brand Nexperia Configuration Single
Fall Time 3 ns Forward Transconductance - Min 2.9 S
Product Type MOSFET Rise Time 3 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type Trench MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 6 ns
Typical Turn-On Delay Time 2 ns Part # Aliases 934662517215
Unit Weight 0.000282 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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