BSM10GP120
IGBT Modules 1200V 10A PIM
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $199.123 | $199.12 |
| 200 | $77.059 | $15,411.80 |
| 500 | $74.350 | $37,175.00 |
| 1000 | $73.012 | $73,012.00 |
在庫：9,515
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- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : BSM10GP120
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パッケージ/ケース : Module
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Brand : Infineon Technologies
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Components Classification : IGBT Modules
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日付シート : BSM10GP120 データシート (PDF)
概要 BSM10GP120
IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 20 A 100 W Chassis Mount Module
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| Package | Tray | Product Status | Obsolete |
| Configuration | Three Phase Inverter | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A | Power - Max | 100 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 10A | Current - Collector Cutoff (Max) | 500 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 600 pF @ 25 V | Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes | Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount | Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module | Base Product Number | BSM10G |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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BSC030N08NS5ATMA1
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BSC035N10NS5ATMA1
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BSC046N10NS3GATMA1
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BSP170PH6327XTSA1
SIPMOS transistor BSP170PH6327XTSA1 designed for high efficiency and low power consumption
BSH103,235
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BBS3002-TL-1E
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BCM857BS,115
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BS170FTA
N-channel SOT-23 MOSFET with a rating of 60 volts and a current consumption of 150 microamps at 5 ohms when supplied with 10 volts
BSB044N08NN3GXUMA1
N-type Silicon MOSFET Transistor with 80V Voltage Rating and 18A Current Capacity for Automotive Applications
BSC009NE2LS5ATMA1
Transistor MOSFET N-channel 25V 41A 8-pin TDSON EP tape and reel
BC856ALT1G
The BC856ALT1G transistor is surface mount technology (SMT) compatible
SMMBT2222AWT1G
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FF800R12KF4
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APT30GT60BRG
NPT Standard Speed Insulated Gate Bipolar Transistor - APT30GT60BRG
2SA1943OTU
Bipolar Junction Transistor (BJT) PNP 250V 17A
IXZ318N50
Silicon N-Channel Metal-oxide Semiconductor FET
SIR472DP-T1-GE3
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HGT1S10N120BNST
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V, Non-Punch Through
SI4431BDY-T1-E3
SI4431BDY-T1-E3
LM3046MX
BJT Transistor Array