BSM150GB170DLC

Name: BSM150GB170DLC
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel Module-7 for BSM150GB170DLC

在庫：8,991

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部品番号 : BSM150GB170DLC
パッケージ/ケース : Module
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : IGBT Modules
日付シート : BSM150GB170DLC データシート (PDF)

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概要 BSM150GB170DLC

The BSM150GB170DLC power transistor module from Infineon Technologies is a versatile and reliable component for industrial applications. With its high power and efficiency, this module is ideal for use in a range of systems that require robust performance. The half-bridge configuration, featuring an N-channel IGBT and free-wheeling diode, ensures efficient power transfer and control

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	IGBT Modules	RoHS	N
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.7 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.6 V
Continuous Collector Current at 25 C	300 A	Gate-Emitter Leakage Current	200 nA
Pd - Power Dissipation	1.25 kW	Package / Case	62 mm
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Brand	Infineon Technologies	Height	30.5 mm
Length	106.4 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	61.4 mm
Part # Aliases	SP000100710 BSM150GB170DLCHOSA1

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