BSM200GA170DN2
The BSM200GA170DN2 is classified as an IGBT module, engineered for use in circuits requiring a voltage tolerance of 1
在庫:6,379
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部品番号 : BSM200GA170DN2
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ブランド : Infineon
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コンポーネントの分類 : IGBT Modules
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日付シート : BSM200GA170DN2 データシート (PDF)
概要 BSM200GA170DN2
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 BSM200GA170DN2 ドライバー、プロデュース Infineon. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 BSM200GA170DN2.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | IGBT Modules | Product | IGBT Silicon Modules |
Configuration | Single Dual Emitter | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.7 kV |
Continuous Collector Current at 25 C | 290 A | Package / Case | 62 mm |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Brand | Infineon Technologies | Height | 36.5 mm |
Length | 106.4 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
Technology | Si | Width | 61.4 mm |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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Tape and Reel Packaging for Automated Assembly
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High-current N-Channel MOSFET
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BBS3002-TL-1E
With a voltage rating of 60V and a maximum current of 100A
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BCM857BS,115
5V 100mA 2PCSPNP SOT-363
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BS170FTA
N-channel SOT-23 MOSFET with a rating of 60 volts and a current consumption of 150 microamps at 5 ohms when supplied with 10 volts
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BSB044N08NN3GXUMA1
N-type Silicon MOSFET Transistor with 80V Voltage Rating and 18A Current Capacity for Automotive Applications
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BSC009NE2LS5ATMA1
Transistor MOSFET N-channel 25V 41A 8-pin TDSON EP tape and reel
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ZXMN3A01FTA
Low On-Resistance of 120mΩ at 10V
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T2535-600G-TR
TRIAC 25A 600V D2PAK
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IRFL014NTRPBF
Field-effect transistor designed for a maximum voltage of 55V, a current rating of 1.9A, a resistance of 160mOhm, and a gate charge of 7nC
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BC817-40Q-7-F
BC817-40Q-7-F Bipolar Junction Transistor with Low Saturation
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SI2301-TP
The product SI2301-TP is a P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
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NVD5C684NLT4G
60 volt 38 amp 16.5 milliohm at 15 amp 10 volt 27 watt 2.1 volt at 250 microamp null DPAK MOSFETs ROHS
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DRC2114E0L
DRC2114E0L Digital NPN Transistor, 100 MA, 50 V, 10 kΩ, 3-Pin Mini3 G3 B
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MC1413BP
Plastic/Epoxy 16 Pin Transistor
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SI7994DP-T1-GE3
N-channel MOSFET transistor designed for switching applications with a maximum voltage of 30V and current rating of 20A