• BSM50GP60 EconoPIM2
BSM50GP60 EconoPIM2

BSM50GP60

High-power transistor for demanding applications

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概要 BSM50GP60

IGBT Module Full Bridge 600 V 70 A 250 W Chassis Mount Module

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS N
Product IGBT Silicon Modules Configuration Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C 70 A Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Pd - Power Dissipation 250 W Package / Case EconoPIM2
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 125 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 107.5 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 45 mm
Part # Aliases SP000100380 BSM50GP60BOSA1 Unit Weight 7.770766 oz

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