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BSS169H6327XTSA1

N-channel MOSFET with a voltage rating of 100V and a maximum current of 90mA, packaged in SOT-23-3

在庫：8,653

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概要 BSS169H6327XTSA1

The BSS169H6327XTSA1 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by Infineon Technologies. This transistor is part of the BSS series and is specifically designed for low voltage, low current applications.Key specifications of the BSS169H6327XTSA1 include a maximum drain-source voltage (VDS) of -60 volts, a continuous drain current (ID) of -0.23 amperes, and a power dissipation (Ptot) of 0.31 watts. The transistor has a threshold voltage (VGSth) of -1.5 volts and a gate-source voltage (VGS) range of -10 volts.The BSS169H6327XTSA1 is offered in a SOT23 surface-mount package, making it suitable for small and compact circuit designs. It also features a high-speed switching performance, low ON resistance, and low input capacitance, making it ideal for applications where low power consumption and high efficiency are critical.

主な特長

  • High-performance microcontroller
  • Advanced memory storage capacity
  • Superior processing speed

応用

  • Low power consumption
  • Compact design
  • Fast switching speed

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SOT-23 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr 102 productClassification COM
productStatusInfo active and preferred hfgr B
packageName PG-SOT23-3 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP000702572
fourBlockPackageName PG-SOT23-3-5 rohsCompliant yes
opn BSS169H6327XTSA1 completelyPbFree yes
sapMatnrSali SP000702572

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

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