BSM50GP60G

Name: BSM50GP60G
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Insulated Gate Bipolar Transistor

在庫：5,302

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部品番号 : BSM50GP60G
パッケージ/ケース : Module
ブランド : Infineon Technologies
コンポーネントの分類 : IGBT Modules
日付シート : BSM50GP60G データシート (PDF)

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概要 BSM50GP60G

The BSM50GP60G by Infineon Technologies is a powerful dual IGBT module that is perfect for a wide range of high power industrial applications. With its half-bridge configuration and high voltage and current ratings, this module is capable of handling heavy-duty tasks such as motor control, renewable energy systems, and welding equipment. Its low on-state voltage drop and high switching frequency capabilities also make it an energy-efficient choice for applications requiring frequent switching

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package	Tray	Product Status	Obsolete
Configuration	Three Phase Inverter	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	70 A	Power - Max	250 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 50A	Current - Collector Cutoff (Max)	500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	2.8 nF @ 25 V	Input	Three Phase Bridge Rectifier
NTC Thermistor	Yes	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Chassis Mount	Package / Case	Module
Supplier Device Package	Module	Base Product Number	BSM50G

保証と返品

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