BSZ0501NSIATMA1

Name: BSZ0501NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

Low-Power Consumption MOSFET for Efficient DC-DC Conversion

在庫：9,736

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部品番号 : BSZ0501NSIATMA1
パッケージ/ケース : TSDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSZ0501NSIATMA1 データシート (PDF)
Series : BSZ0501NSI

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概要 BSZ0501NSIATMA1

N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS 5	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-FL
Package / Case	TSDSON-8	Base Product Number	BSZ0501
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	123 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.1 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	24 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	50 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	3 ns
Forward Transconductance - Min	55 S	Height	1.1 mm
Length	3.3 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	4 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns	Typical Turn-On Delay Time	4 ns
Width	3.3 mm	Part # Aliases	BSZ0501NSI SP001281638
Unit Weight	0.001367 oz

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