BSZ0703LSATMA1

Name: BSZ0703LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

State-of-the-art MOSFET technology for demanding power systems

在庫：7,703

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部品番号 : BSZ0703LSATMA1
パッケージ/ケース : TSDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSZ0703LSATMA1 データシート (PDF)
Series : BSZ0703LS

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概要 BSZ0703LSATMA1

N-Channel 60 V 40A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-26

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™	Product Status	Last Time Buy
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 20µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 30 V
FET Feature	Standard	Power Dissipation (Max)	46W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-26	Package / Case	TSDSON-8
Base Product Number	BSZ0703	Manufacturer	Infineon
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	40 A	Rds On - Drain-Source Resistance	7.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.7 V
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	46 W
Channel Mode	Enhancement	Brand	Infineon Technologies
Fall Time	2.6 ns	Forward Transconductance - Min	25 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.9 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	14 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns	Part # Aliases	BSZ0703LS SP001614096
Unit Weight	0.001367 oz

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