BSZ215CHXTMA1

Name: BSZ215CHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

数量	単価(USD)	合計金額
1	$0.981	$0.98
200	$0.380	$76.00
500	$0.366	$183.00
1000	$0.361	$361.00

在庫：9,348

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部品番号 : BSZ215CHXTMA1
パッケージ/ケース : TSDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : FET, MOSFET Arrays
日付シート : BSZ215CHXTMA1 データシート (PDF)
Series : BSZ215C-H

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概要 BSZ215CHXTMA1

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仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™	Product Status	Active
Technology	Si	Configuration	Dual
FET Feature	Logic Level Gate, 2.5V Drive	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.1A, 3.2A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 110µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V	Power - Max	2.5W
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101	Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TSDSON-8	Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Base Product Number	BSZ215	Manufacturer	Infineon
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	5.1 A, 3.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	41 mOhms, 95 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V, 1 V
Qg - Gate Charge	700 pC, 590 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Brand	Infineon Technologies
Fall Time	4.7 ns, 1.4 ns	Forward Transconductance - Min	4 S, 5.5 S
Height	1.1 mm	Length	3.3 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	2 ns, 3.7 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel, 1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	11.3 ns, 12.2 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.4 ns, 4.9 ns	Width	3.3 mm
Part # Aliases	BSZ215C H SP001277210	Unit Weight	0.001367 oz

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