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BUP314D

BUP314D Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel, TO-218, 42A I(C), 1200V V(BR)CES

在庫：7,291

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概要 BUP314D

The BUP314D's robust design and high ratings make it a dependable choice for power switching circuits in industrial settings. Whether used in motor controls, power supplies, or other industrial equipment, this MOSFET delivers the performance and reliability required for critical applications. Its ability to operate at high frequencies and handle significant power loads makes it a valuable component in various industrial systems

主な特長

  • Safe and reliable operation
  • Compact footprint for space-constrained designs
  • Wide temperature range for flexible applications

応用

  • Electronic devices
  • Advanced technology
  • Smart solutions

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-218-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Continuous Collector Current Ic Max 42 A
Height 12.5 mm Length 15 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 250
Subcategory IGBTs Width 4.9 mm

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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