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CA3082M

6V maximum operating voltage

在庫：6,653

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概要 CA3082M

CA3081 and CA3082 consist of seven high current (to 100mA) silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. The CA3081 is connected in a common emitter configuration and the CA3082 is connected in a common collector configuration.Features• CA3081 - Common Emitter Array• CA3082 - Common Collector Array• Directly Drive Seven Segment Incandescent Displays and   Light Emitting Diode (LED) Display• 7 Transistors Permit a Wide Range of Applications in   Either a Common Emitter (CA3081) or Common Collector   (CA3082) Configuration• High IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA (Max)• Low VCESAT (at 50mA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4V (Typ)Applications• Drivers for   - Incandescent Display Devices   - LED Displays• Relay Control• Thyristor Firing

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category Bipolar Transistors - BJT Package / Case SOIC-Narrow-16
Transistor Polarity NPN Configuration Hepta
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 16 V Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Maximum DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 500 mW Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 125 C Brand Renesas / Intersil
DC Collector/Base Gain hfe Min 30 at 30 mA, 500 mV Height 1.5 mm
Length 10 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors Technology Si
Width 4 mm Unit Weight 0.019312 oz

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