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DCG45X1200NA

DCG45X1200NA Diode

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概要 DCG45X1200NA

Made from SiC material, these diodes are engineered for fast switching applications where minimizing power losses is crucial. With their superior performance characteristics, they are ideal for systems that demand high reliability and increased power density. Whether you are designing power supplies, motor drives, or renewable energy systems, the DCG45X1200NA diodes are sure to meet your requirements

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
Diode Configuration 2 Independent Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 22A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 20 A Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 1200 V
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C Mounting Type Chassis Mount
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC Supplier Device Package SOT-227B
Base Product Number DCG45

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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