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FCP20N60

The FCP20N60 is a top-tier N-Channel Power MOSFET employing SUPERFET® technology, ensuring efficient and easy drive operations

在庫：5,748

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概要 FCP20N60

Meet the FCP20N60 SuperFET® MOSFET from ON Semiconductor, revolutionizing high voltage super-junction technology with its innovative charge balance design. This MOSFET outshines the competition with its remarkable low on-resistance and reduced gate charge, ensuring minimal conduction loss and superior switching performance. With unmatched dv/dt rate and higher avalanche energy, the SuperFET MOSFET excels in various applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power, and industrial power. Experience the power and efficiency of SuperFET MOSFET for your next project

主な特長

  • 800V @ Tj = 125°C
  • Typ. Rds(on) = 200 mΩ
  • Low Gate Leakage (Typ. Igs = 10 μA)
  • High Immunity to Electrostatic Discharge (Typ. Vc = 1 kV)
  • Typ. Rc = 300 Ω
  • Ultra Low Input Capacitance (Typ. Ci = 10 pF)

応用

  • Solar Inverter
  • AC-DC Power Supply

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V Id - Continuous Drain Current 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance 190 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 208 W Channel Mode Enhancement
Series FCP20N60 Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 65 ns
Forward Transconductance - Min 17 S Height 16.3 mm
Length 10.67 mm Product Type MOSFET
Rise Time 140 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 230 ns
Typical Turn-On Delay Time 62 ns Width 4.7 mm
Unit Weight 0.068784 oz

保証と返品

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    返品・交換：90日以内

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