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FF1400R12IP4P

IGBT Module Designed for Robust Short Circuit Performance

数量 単価(USD) 合計金額
1 $850.474 $850.47
30 $815.986 $24,479.58

在庫：8,277

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概要 FF1400R12IP4P

Infineon Technologies has truly outdone themselves with the FF1400R12IP4P power module. Its integrated driver stage with desaturation detection and fault handling enhances system reliability, giving users peace of mind when it comes to performance. The low-inductance design further boosts power density and performance, making this module a standout choice for demanding applications where efficiency and reliability are paramount. Whether you're in the industrial, renewable energy, or traction industry, the FF1400R12IP4P is a game-changer in high-power applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series PrimePACK™3 Package Tray
Product Status Active IGBT Type Trench Field Stop
Configuration 2 Independent Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 1400 A Power - Max 1400000 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 1400A Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 82 nF @ 25 V Input Standard
NTC Thermistor Yes Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount Package / Case Module
Supplier Device Package Module Base Product Number FF1400

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・交換：90日以内

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VQ1001J

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VQ1001J MOSFET QD 30V 0.83A
DMN6068LK3-13

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60V 6A 3-Pin Package
MMBT3906LP-7

MMBT3906LP-7

Supplied in Tape and Reel packaging
SMMBT3906LT3G

SMMBT3906LT3G

200 mA, 40 V PNP BJT - SMMBT3906LT3G"
IMZ1AT108

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Small signal bipolar transistor with 0.15A collector current and 50V collector-emitter breakdown voltage, consisting of NPN and PNP silicon elements
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Surface Mount MOSFET 30V 8-SOIC
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ST2310DHI is a pre-biased NPN high-voltage fast-switching bipolar transistor
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BC847BTT1G NPN SS GP XSTR SC75 45V RL
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RL NPN Small Signal Transistor in SOT-523 Package
FCX458TA

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FCX458TA - Bipolar Junction Transistor (NPN Type) with 400V Voltage, 0.225A Current, 2000mW Power, SOT-89 Package