SMMBT3906LT3G
200 mA, 40 V PNP BJT - SMMBT3906LT3G"
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
10 | $0.065 | $0.65 |
100 | $0.051 | $5.10 |
300 | $0.045 | $13.50 |
1000 | $0.040 | $40.00 |
5000 | $0.036 | $180.00 |
10000 | $0.034 | $340.00 |
在庫:6,520
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : SMMBT3906LT3G
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パッケージ/ケース : SOT23-3
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ブランド : Onsemi
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コンポーネントのカテゴリ : Single Bipolar Transistors
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日付シート : SMMBT3906LT3G データシート (PDF)
概要 SMMBT3906LT3G
Product SMMBT3906LT3G is a high-performance 200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor, ideal for both linear and switching applications. Its SOT-23 package is specifically designed for lower power surface mount applications, making it a versatile and reliable choice for a wide range of electronic devices
主な特長
- PPAP Capable, AEC-Q101 Qualified
- S Prefix for Automotive Applications
- Automotive Grade with Unique Site and Control Change Requirements
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 10000 |
ON Target | N | Polarity | PNP |
Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.4 |
IC Cont. (A) | 0.2 | VCEO Min (V) | 40 |
VCBO (V) | 40 | VEBO (V) | 5 |
VBE(sat) (V) | 0.95 | hFE Min | 100 |
hFE Max | 300 | fT Min (MHz) | 250 |
PTM Max (W) | 0.225 | Pricing ($/Unit) | $0.0293 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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支払い
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![SSM3J328R,LF](/files/uploads/product/s/d0364abaefdb4bcf86d7d9042bd6dd84.webp)
SSM3J328R,LF
29.8m¦¸@4.5V,3A 1W 1V@1mA
![PSMN014-40YS,115](/img/package/sc70.jpg)
PSMN014-40YS,115
Nexperia PSMN014-40YS,115
![PSMN015-100YLX](/img/package/sot669.jpg)
PSMN015-100YLX
LFPAK56 packaged logic level MOSFET with 15mΩ on-resistance at 100V
![PSMN020-100YS,115](/img/package/sc70.jpg)
PSMN020-100YS,115
37 mOhm Resistance
![PSMN022-30PL,127](/img/package/to220.jpg)
PSMN022-30PL,127
High-performance N-channel MOSFET engineered for logic-level circuits
![PSMN039-100YS,115](/img/package/so5.jpg)
PSMN039-100YS,115
Trans MOSFET N-CH 100V 28.1A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
![PSMN1R4-40YLDX](/img/package/sot669.jpg)
PSMN1R4-40YLDX
With a maximum power dissipation of 238W and a threshold voltage of 2.2V at 1mA, this MOSFET is suitable for high-performance applications
![PSMN1R9-40PLQ](/img/package/to220.jpg)
PSMN1R9-40PLQ
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
![PSMN2R4-30MLDX](/img/package/so5.jpg)
PSMN2R4-30MLDX
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
![PSMN3R2-40YLDX](/img/package/sc70.jpg)
PSMN3R2-40YLDX
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R