• packageimg
packageimg

FF150R12MS4G

ECONO-3 tray packaging

数量 単価(USD) 合計金額
1 $98.552 $98.55

在庫：7,565

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください FF150R12MS4G このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 FF150R12MS4G

One of the standout features of the FF150R12MS4G is its compact design, measuring just 50mm x 140mm. This makes it ideal for installations where space is limited, without sacrificing on performance. The inclusion of a built-in temperature sensor ensures that thermal management is optimized, protecting the module from overheating and extending its lifespan. Additionally, the low stray inductance of the module ensures that it performs reliably even in high-speed switching applications, making it a versatile choice for a variety of uses

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series EconoDUAL™ 3 Package Tray
Product Status Active Configuration 2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 225 A
Power - Max 1250 W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce 11 nF @ 25 V
Input Standard NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 125°C Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Module Supplier Device Package Module
Base Product Number FF150R12M

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

The DMN65D8LDW-7 MOSFETs
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Automotive Grade N-Channel Silicon Transistor, 60V, 8A
CGHV96130F

CGHV96130F

Three-Pin RF Transistor
DMP4025SFG-13

DMP4025SFG-13

DMP4025SFG-13 P-Channel MOSFET PowerDI3333-8: This component offers a voltage rating of 40V and a current capacity of 4
IXKH70N60C5

IXKH70N60C5

Channel MOSFET with Enhancement Mode
BCP56TA

BCP56TA

NPN medium power transistor in SOT223 package
SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11

TrenchMOS N-Channel MOSFET made of silicon carbide, designed for high voltage applications with 70A current capability and low 30mOhm resistance
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

<p>The 2SJ600-Z is a Pch Single Power Mosfet -60V -25A 0.05Mohm.</p>
IRFB7434PBF

IRFB7434PBF

High current capability MOSFET suitable for various applications