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FGA25N120ANTDTU-F109

IGBT chip suitable for power applications, featuring a 1200V maximum voltage and a 50A maximum current, housed in a TO-3P package

在庫：5,777

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概要 FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor has developed the FGA25N120ANTDTU-F109, a 1200V NPT IGBT featuring a trench design and advanced NPT technology. This IGBT offers exceptional conduction and switching performances, making it an ideal choice for applications requiring high levels of performance. Furthermore, this device also boasts high avalanche ruggedness and allows for easy parallel operation, making it a versatile option for a variety of applications. In particular, the FGA25N120ANTDTU-F109 is well-suited for resonant or soft switching applications such as induction heating and microwave ovens, where its superior characteristics can truly shine

主な特長

  • Fast response time and recovery rate
  • High-gain bandwidth for precise control
  • Limited EMI emissions and high immunity to interference
  • Low power consumption for battery-powered systems
  • Dual-channel operation with independent fault detection
  • Enhanced protection against voltage transients

応用

  • Home Entertainment Systems
  • Outdoor Grilling Equipment
  • DIY Tools and Supplies

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type TO-3P-3L Case Outline 340BZ
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type TUBE Container Qty. 450
ON Target N V(BR)CES Typ (V) 1200
VF Typ (V) 2 Eoff Typ (mJ) 0.96
Eon Typ (mJ) 4.1 Irr Typ (A) 27
Gate Charge Typ (nC) 200 PD Max (W) 312
Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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AOD8N25

AOD8N25

With a low on-resistance of 460mΩ at 10V and 1.5A, this MOSFET can handle a power dissipation of up to 78W
MMBF2201NT1G

MMBF2201NT1G

MOSFET with N-Channel Configuration
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

N Channel 60V 370mA 1.4 ohm
BTB16-600BWRG

BTB16-600BWRG

TRIAC 600V 168A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
IXFT94N30P3

IXFT94N30P3

channel MOSFET with fast diode
PSMN025-100D

PSMN025-100D

100V Plastic DPAK-3
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

0V Vds 20V Vgs MOSFET SO-8
SISH101DN-T1-GE3

SISH101DN-T1-GE3

Power MOSFET capable of handling -30V Vds and +/-25V Vgs in PowerPAK 1212-8SH package
IXTP64N055T

IXTP64N055T

High-Current N-Channel TrenchMOS MOSFET, 55V, TO220 Through-Hole
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

MOSFET SI7923DN-GE3 suggested as a substitute for SI7905DN-T1-GE3