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FGH75N60UFTU

FS Planar IGBT Transistors, N-Type, capable of handling 75A current at 600V voltage

数量 単価(USD) 合計金額
1 $10.327 $10.33
200 $3.997 $799.40
450 $3.858 $1,736.10
900 $3.788 $3,409.20

在庫：5,986

*価格は参考値です。
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概要 FGH75N60UFTU

Incorporating cutting-edge field stop IGBT technology, the FGH75N60UFTU from ON Semiconductor delivers unparalleled performance for critical applications like solar inverters, UPS systems, welders, and PFC equipment. By reducing conduction and switching losses to a minimum, these IGBTs ensure seamless operation and efficiency in high-power settings

主な特長

  • Advanced Thermal Management
  • Fully Compliant to EMI Standards
  • Compact and Rugged Package Design
  • Long-Term Reliability Guarantee

応用

  • Solar Power Solutions
  • Electric Vehicle Charging
  • Smart Grid Technology

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type TO-247-3 Case Outline 340CK
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type TUBE Container Qty. 450
ON Target N V(BR)CES Typ (V) 600
IC Max (A) 75 VCE(sat) Typ (V) 1.9
Eoff Typ (mJ) 1.35 Eon Typ (mJ) 3.05
Gate Charge Typ (nC) 250 PD Max (W) 452
Co-Packaged Diode No Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

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IXGH39N60BD1

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With its 3-pin configuration and tab connection, this IGBT chip is easily mountable and efficient in operation
NTMD3P03R2G

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Dual P−Channel SOIC−8 Power MOSFET capable of handling 3.05 Amps and operating at -30 Volts
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

SOT-23-packaged N-type MOSFET rated for 30 volts and 2.6 amperes, identified as SI2304BDS-T1-GE3
2SJ74BL

2SJ74BL

SJ74-BL transistor
STD4NK50ZT4

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Tape and Reel packaging for STD4NK50ZT4
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Voltage-controlled switch
SIA519EDJ-T1-GE3

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MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
IXFK24N100

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Power Field-Effect Transistor
VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S

Product Details: The VS-GA250SA60S IGBT module is engineered with N-channel architecture
BSS52

BSS52

60V and 5A capable, suitable for various electronic circuits