FS150R12KT4_B11
Robust IGBT module for reliable and efficient power contro
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $197.495 | $197.50 |
30 | $189.486 | $5,684.58 |
在庫:6,712
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : FS150R12KT4_B11
-
パッケージ/ケース : Econo 3
-
ブランド : INFINEON
-
コンポーネントのカテゴリ : IGBT Modules
-
日付シート : FS150R12KT4_B11 データシート (PDF)
概要 FS150R12KT4_B11
IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 150 A 750 W Chassis Mount Module
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Manufacturer | Infineon | Product Category | IGBT Modules |
RoHS | Details | Product | IGBT Silicon Modules |
Configuration | 6-Pack | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.75 V | Continuous Collector Current at 25 C | 150 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Pd - Power Dissipation | 750 W |
Package / Case | Econo 3 | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Infineon Technologies |
Height | 17 mm | Length | 122 mm |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | Chassis Mount |
Product Type | IGBT Modules | Series | Trenchstop IGBT4 - T4 |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
Technology | Si | Tradename | TRENCHSTOP EconoPACK PressFIT |
Width | 62 mm | Part # Aliases | SP000369616 FS150R12KT4B11BOSA1 |
Unit Weight | 10.582189 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
![IRFS3107TRLPBF](/img/package/d2pak3.jpg)
IRFS3107TRLPBF
Supplied in tape and reel packaging
![IRFS7730PBF](/img/package/to252.jpg)
IRFS7730PBF
Single N-Channel MOSFET for high voltage applications
![IRFS3006-7PPBF](/img/package/to263.jpg)
IRFS3006-7PPBF
High-current N-channel Silicon MOSFET, 60V, 293A, 7-Pin (6+Tab) D2PAK Tube
![FS6R06VE3_B2](/img/product.png)
FS6R06VE3_B2
High-power switching device for efficient power conversion and contr
![FS50R12KT4P_B11](/img/package/module.jpg)
FS50R12KT4P_B11
Cost-effective solution for small-scale industrial drive
![FS800R07A2E3](/img/package/hyb.jpg)
FS800R07A2E3
Insulated Gate Bipolar Transistor with 700A I(C), 650V V(BR)CES, and N-Channel design in Module-33
![FS400R12A2T4](/img/package/hyb.jpg)
FS400R12A2T4
IGBT Modules HYBRID PACK 2
![FS150R12PT4](/img/product.png)
FS150R12PT4
4. Product FS150R12PT4
![IRFS7537TRLPBF](/img/package/to263.jpg)
IRFS7537TRLPBF
D2PAK MOSFET with 60V N-channel and 173A current capability
![IRFS33N15DTRLP](/img/package/to-3.jpg)
IRFS33N15DTRLP
Low-RDS(on) solution for high-frequency power manageme