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GB2X100MPS12-227

silicon carbide power

数量 単価(USD) 合計金額
1 $150.777 $150.78
200 $58.349 $11,669.80
500 $56.298 $28,149.00
1000 $55.285 $55,285.00

在庫：8,197

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概要 GB2X100MPS12-227

Introducing the GB2X100MPS12-227 Schottky Barrier Diode, a top-of-the-line component engineered for superior power conversion applications. With a high voltage rating of 1.2kV and a robust current handling capacity of 185A, this diode is designed to meet the demands of modern electronic systems. Featuring a low forward voltage drop of 1.8V at 100A, it ensures efficient power transfer with minimal energy loss. The dual diode design in the compact SOT-227 package allows for versatile circuit configurations and space-saving solutions. Moreover, this product is ROHS-compliant, underscoring its commitment to environmental responsibility and product safety

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series SiC Schottky MPS™ Package Tube
Product Status Obsolete Diode Configuration 2 Independent
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 185A (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 100 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 80 µA @ 1200 V Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Mounting Type Chassis Mount Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package SOT-227 Base Product Number GB2X100

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    返品・交換：90日以内

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High-voltage RF diode for reliable switching and amplification application
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