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IGW30N100T

IGBT 1000V, 60A, TO-247-3

在庫：5,077

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概要 IGW30N100T

Moreover, the IGW30N100T comes equipped with a built-in diode for free-wheeling protection, safeguarding against potential damage from inductive loads. This feature enhances the component's durability and longevity, making it a dependable choice for applications that require consistent performance over extended periods

主な特長

  • High performance and long lifespan
  • Low noise and vibration level
  • Rugged construction for heavy loads
  • Safe operation up to 125°C
  • Precision temperature measurement
  • Robust and reliable design ensured

応用

  • Renewable energy converters
  • Electric vehicle charging
  • Industrial power supplies

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Pd - Power Dissipation 412 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Series TRENCHSTOP IGBT
Brand Infineon Technologies Continuous Collector Current Ic Max 30 A
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 240 Subcategory IGBTs
Tradename TRENCHSTOP Part # Aliases IGW3N1TXK SP000380845 IGW30N100TFKSA1
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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