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IKW50N65F5FKSA1

CH 650V 80A 305W 3-Pin ~24J5000W30420AJHGIBT

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概要 IKW50N65F5FKSA1

Engineered for high switching frequency applications, the IKW50N65F5FKSA1 power semiconductor device by Infineon Technologies is a standout performer. Its low on-state resistance of 0.1 ohms and high switching speed make it a top choice for power supplies, LED lighting, and other power electronics systems. Additionally, the compact TO-247 package not only enhances thermal performance but also ensures reliability in demanding operational environments. With a drain current of up to 50A and a gate threshold voltage of 4V, this power MOSFET offers precise control and is suitable for medium to high power applications

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series TrenchStop® Package Tube
Product Status Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A Current - Collector Pulsed (Icm) 150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Power - Max 305 W
Switching Energy 490µJ (on), 160µJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 120 nC Td (on/off) @ 25°C 21ns/175ns
Test Condition 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52 ns
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3 Supplier Device Package PG-TO247-3
Base Product Number IKW50N65

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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