IMW65R027M1HXKSA1

Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET utilizing Silicon Carbide

在庫：7,352

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IMW65R027M1HXKSA1 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

購入数量*

連絡先*

連絡先メールアドレス*

会社

その他のニーズ

N-Channel 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	CoolSIC™ M1	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 38.3A, 18V	Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 11mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 18 V	Vgs (Max)	+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2131 pF @ 400 V	Power Dissipation (Max)	189W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO247-3-41	Package / Case	TO-247-3
Base Product Number	IMW65R027

保証、返品、および追加情報

QAと返品ポリシー

部品の品質保証: 365 日

返品・返金：90日以内

返品・交換：90日以内
配送と梱包

配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
支払い

たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。