• packageimg
packageimg

IPB80N06S2L-05

Infineon IPB80N06S2L-05 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 55 V, 3-Pin TO-263

在庫：5,947

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IPB80N06S2L-05 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 IPB80N06S2L-05

Featuring a TO-263AB package with 3 pins for easy installation and connectivity, the IPB80N06S2L-05 is a versatile choice for designers looking to optimize performance and efficiency in their designs. The green plastic casing provides durability and protection for the sensitive semiconductor components inside, ensuring long-term reliability in challenging operating conditions

主な特長

  • N-channel Logic Level - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (lead free)
  • Ultra low Rds(on)
  • 100% Avalanche tested

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case D2PAK-3 (TO-263-3) Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V
Id - Continuous Drain Current 80 A Rds On - Drain-Source Resistance 3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 230 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 300 W
Channel Mode Enhancement Tradename OptiMOS
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 90 ns Height 4.4 mm
Length 10 mm Product Type MOSFET
Rise Time 93 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 67 ns Typical Turn-On Delay Time 19 ns
Width 9.25 mm Part # Aliases SP000219004 IPB80N06S2L05XT IPB80N06S2L05ATMA1
Unit Weight 0.139332 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

DTC014YMT2L

DTC014YMT2L

Pre-Biased Bipolar Transistor for Digital Applications
2SK2504TL

2SK2504TL

Recommended Replacement: 755-RD3P050SNTL1 serves as an alternate for 2SK2504TL MOSFET
IXFK520N075T2

IXFK520N075T2

Power Field-Effect Transistor 2. Field-Effect Transistor for Power Applications
IRF7404TRPBF

IRF7404TRPBF

IRF7404TRPBF INFINEON MOSFET Transistor P Channel -6.7 A -20 V 0.04 ohm -4.5 V -700 mV
RFP10P15

RFP10P15

This product is a P-CHANNEL Silicon-based MOSFET for power applications
CZT5551

CZT5551

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tape and Box
FQPF6N90

FQPF6N90

00V power MOSFET
2N6383

2N6383

TO-204AA (TO-3) package for compact designs
IRF3415PBF

IRF3415PBF

43 amp current rating
IRF7410TRPBF

IRF7410TRPBF

Product Description: IRF7410TRPBF MOSFET N-channel 12V SO-8