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IRF3007

High Power N-Channel Transistor with Low On-Resistance

在庫：5,025

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概要 IRF3007

In a world where efficiency and reliability are paramount, the IRF3007 N-channel power MOSFET transistor shines as a cost-effective and high-performing solution for a variety of industrial applications. Its impressive specifications, including a maximum drain-source voltage of 75V and a continuous drain current of 82A, make it a powerhouse in power management tasks. With a low on-resistance of 10mΩ and a low gate charge of 130nC, this transistor excels in power switching applications, delivering high efficiency and reducing switching losses. Its TO-220 package ensures excellent thermal performance, allowing for easy mounting on heat sinks and reliable heat dissipation, while its wide operating temperature range of -55°C to 175°C ensures optimal performance in diverse conditions

主な特長

  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Automotive [Q101] Qualified

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package TO-220 Polarity N
RthJC max 0.74 K/W Tj max 175.0 °C
VDS max 75.0 V VGS max 20.0 V
Mounting THT Ptot max 200.0 W
RDS (on) max 12.6 mΩ VGS(th) max 4.0 V
VGS(th) min 2.0 V ID max 80.0 A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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