IRF6218PBF
Low ON resistance of 150mΩ at 10V and 16A
| 数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
|---|---|---|
| 1 | $2.672 | $2.67 |
| 10 | $2.297 | $22.97 |
| 50 | $2.060 | $103.00 |
| 100 | $1.820 | $182.00 |
| 500 | $1.712 | $856.00 |
| 1000 | $1.664 | $1,664.00 |
在庫：9,624
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
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部品番号 : IRF6218PBF
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パッケージ/ケース : TO220-3
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ブランド : Infineon Technologies
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コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
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日付シート : IRF6218PBF データシート (PDF)
-
Series : IRF6218
概要 IRF6218PBF
P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
主な特長
- 175°C Operating temperature
- Low gate to drain charge to reduce switching loss
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
応用
- Power Management
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
| functionalPacking | TUBE | addProductInfo | Planar Mosfet - TO-220 |
| packageNameMarketing | TO220 | msl | NA |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | ZH1 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | discontinued | hfgr | P |
| packageName | TO220 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001564812 |
| fourBlockPackageName | PG-TO220-3-904 | rohsCompliant | yes |
| opn | IRF6218PBF | docuNoCancellation | PD_084_20 |
| completelyPbFree | no | sapMatnrSali | SP001564812 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金：90日以内
返品・交換：90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
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43 amp current rating
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Silicon P-Type MOSFET with a Maximum Voltage of 20V and Current Handling Capability of 9A
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8-pin surface-mount N-channel MOSFET with a 30-volt, 20-amp rating
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30V N Channel MOSFET with 21A current rating and 3.6mΩ resistance at 10V
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Tube Packaging for IRFB3307ZPBF N-Channel Silicon MOSFET with 3 Pins and a Tab
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100 V HEXFET Infineon IRFB4310ZPBF N-channel MOSFET, 127 A, 3-Pin TO-220AB
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Single N-Channel 30 V 4.7 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
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TO-18 packaged N-channel JFET transistor, made of silicon and capable of handling up to 40 volts
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N-channel silicon transistor designed for general-purpose power applications, compliant with RoHS regulations
IRF2804STRL7PP
Transistor MOSFET
NX7002AKW,115
Field-effect transistor NX7002AKW/SOT323/SC-70
STD11NM60N
Field-effect transistor
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The BSM200GA170DN2 is classified as an IGBT module, engineered for use in circuits requiring a voltage tolerance of 1
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Power MOSFET 600V 2.4A 4.8 Ohm N-Channel TO-220FP
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