IRF8915PBF
IRF8915PBF is a MOSFET with two N-channel transistors connected in a HexFET configuration, and a total gate charge of 4.9nC
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
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1 | $0.222 | $0.22 |
200 | $0.086 | $17.20 |
500 | $0.083 | $41.50 |
1000 | $0.082 | $82.00 |
在庫:6,623
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部品番号 : IRF8915PBF
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パッケージ/ケース : SOIC-8
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Brand : International Rectifier
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Components Classification : FET, MOSFET Arrays
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日付シート : IRF8915PBF データシート (PDF)
概要 IRF8915PBF
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 IRF8915PBF ドライバー、プロデュース International Rectifier. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 IRF8915PBF.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 8.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 27 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 4.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Dual | Fall Time | 3.6 ns |
Forward Transconductance - Min | 12 S | Height | 1.75 mm |
Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 12 ns | Factory Pack Quantity | 95 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
Type | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 7.1 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 3.9 mm |
Part # Aliases | SP001560128 | Unit Weight | 0.019048 oz |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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