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IRFD110PBF

N-channel Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, 100V, 1A, High Voltage

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.447 $0.45
10 $0.394 $3.94
30 $0.368 $11.04
100 $0.342 $34.20
500 $0.326 $163.00
1000 $0.318 $318.00

在庫:5,097

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概要 IRFD110PBF

Featuring a pulse current rating of 8A and a maximum operating temperature of 150°C, the IRFD110PBF is capable of handling high transient loads and operating in demanding environments. With a compact footprint and 4-pin configuration, this transistor offers flexibility in board layout and design. The device is marked with the unique designation IRFD110PBF for easy identification and tracking. Whether used in power supplies, motor control, or amplification circuits, this MOSFET delivers reliable performance and durability

主な特長

  • Fast response time
  • Low capacitance
  • Compact size

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case HVMDIP-4 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 1 A Rds On - Drain-Source Resistance 540 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 8.3 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 1.3 W
Channel Mode Enhancement Series IRFD
Brand Vishay / Siliconix Configuration Single
Fall Time 9.4 ns Forward Transconductance - Min 0.8 S
Height 3.37 mm Length 6.29 mm
Product Type MOSFET Rise Time 16 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 15 ns
Typical Turn-On Delay Time 6.9 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.064234 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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