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IRFM120ATF

Field-effect transistor with 100V capacity

在庫:6,985

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概要 IRFM120ATF

Built with ON Semiconductor's state-of-the-art planar DMOS technology, the IRFM120ATF series of N-Channel enhancement mode power field effect transistors offers unparalleled performance in terms of minimizing on-state resistance, enabling superior switching capability, and withstanding high-energy pulses in both avalanche and commutation modes. These outstanding features make them a perfect choice for demanding applications such as high-efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supply, and motor control

主な特長

  • Faster Rise Time
  • Limited Second-Harmonic Distortion
  • Higher Current Handling
  • Low Noise Operation

応用

  • Robotic Automation
  • Energy-efficient Technologies
  • Industrial Safety Standards

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type SOT-223-4 / TO-261-4 Case Outline 318H-01
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 250
Container Type REEL Container Qty. 4000
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 100
VGS Max (V) ±20 VGS(th) Max (V) 4
ID Max (A) 2.3 PD Max (W) 2.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 200 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 16
Ciss Typ (pF) 370 Pricing ($/Unit) $0.2799Sample

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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