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IRFR120PBF

IRFR120PBF, N-channel MOSFET Transistor 7.7 A 100 V, 3-Pin D-PAK

在庫:5,319

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概要 IRFR120PBF

Featuring a low on-resistance of 0.27ohm, the IRFR120PBF Power Field-Effect Transistor delivers efficient power management for a variety of applications. With a maximum I(D) of 7.7A and a voltage rating of 100V, this N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET provides reliable performance in demanding environments. The TO-252AA package with DPAK-3 pin configuration ensures easy and secure mounting to a printed circuit board or heatsink. Additionally, the transistor is compliant with the ROHS directive, making it an environmentally friendly choice for designers and manufacturers. Whether used in power supplies, motor control, or DC-DC converters, the IRFR120PBF offers consistent and dependable operation

主な特長

  • High-speed switching
  • Low noise operation
  • Flexible design options

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 7.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 16 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 42 W Channel Mode Enhancement
Series IRFR Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 17 ns
Height 2.38 mm Length 6.73 mm
Product Type MOSFET Rise Time 27 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 18 ns
Typical Turn-On Delay Time 6.8 ns Width 6.22 mm
Part # Aliases IRFR120PBF-BE3 Unit Weight 0.011640 oz

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