IRFS3206PBF

Name: IRFS3206PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

The IRFS3206PBF is a 60V MOSFET with a N-CH HEXFET design, boasting an on-resistance as low as 3mOhms and a gate charge of 120nC

在庫：8,331

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N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	D2PAK-3 (TO-263-3)	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	210 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	120 nC
Pd - Power Dissipation	300 W	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Height	4.4 mm
Length	10 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Width	9.25 mm
Part # Aliases	SP001557264	Unit Weight	0.139332 oz

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