IRFZ34NSTRRPBF

Name: IRFZ34NSTRRPBF
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-Voltage, High-Current Power Switch for Demanding Applicatio

在庫：7,746

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N-Channel 55 V 29A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TO-252-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V	Id - Continuous Drain Current	29 A
Rds On - Drain-Source Resistance	40 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	34 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	68 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	40 ns	Forward Transconductance - Min	6.5 S
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	49 ns
Factory Pack Quantity	800	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	31 ns	Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Width	6.22 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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