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IRG4BC20KDPBF

N-channel IGBT Semiconductor Chip, 600V, 16A, 60,000mW, TO-220AB Package

数量 単価(USD) 合計金額
1 $1.505 $1.50
10 $1.293 $12.93
30 $1.177 $35.31
100 $1.046 $104.60
500 $0.988 $494.00
1000 $0.961 $961.00

在庫：4,970

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概要 IRG4BC20KDPBF

The IRG4BC20KDPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a DC Collector Current of 16A and a Collector Emitter Voltage Vces of 2.8V. It has a power dissipation of 60W and a Collector Emitter Voltage V(br)ceo of 600V. The transistor is housed in a TO-220AB case style with 3 pins for easy installation. The IGBT is designed for continuous operation at a maximum current of 16A, making it suitable for a variety of industrial and commercial applications. Its through-hole termination type and N Channel transistor polarity make it versatile and easy to integrate into existing circuitry

主な特長

  • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for
  • high operating frequencies>5.0 kHz , and Short
  • Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V
  • Generation 4 IGBT design provides tighter
  • parameter distribution and higher efficiency than
  • previous generation
  • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
  • ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
  • bridge configurations
  • Industry standard TO-220AB package
  • Lead-Free
  • Benefits
  • Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor
  • controls possible
  • HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.
  • Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and
  • switching losses
  • This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2
  • products
  • For hints see design tip 97003

応用

MOTOR CONTROL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-220-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 16 A
Pd - Power Dissipation 60 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Infineon Technologies Height 8.77 mm
Length 10.54 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory IGBTs
Width 4.69 mm Part # Aliases SP001544718
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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