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IRG4BC20UD

TO-220AB packaged IGBT chip

在庫:6,955

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概要 IRG4BC20UD

If high power switching applications are what you're dealing with, then the IRG4BC20UD Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is the solution you've been looking for. This IGBT offers a collector-emitter voltage rating of 600V and a continuous collector current rating of 20A, making it an ideal choice for motor control, power supply, and renewable energy systems. Its compact TO-220AB package design allows for easy mounting and heatsinking, and its low on-state voltage drop and high switching speed add to its appeal in applications where efficiency and speed are crucial. Furthermore, its wide operating temperature range of -55°C to 150°C and built-in protection features, including overcurrent and overvoltage protection, ensure reliable operation under various conditions in demanding industrial environments

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Packaging Tube Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V Current - Collector (Ic) (Max) 13 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 52 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A
Power - Max 60 W Switching Energy 160µJ (on), 130µJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 27 nC
Td (on/off) @ 25°C 39ns/93ns Test Condition 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 37 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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