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IRG4BC30UDPBF

IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz

在庫:5,098

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概要 IRG4BC30UDPBF

IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB

主な特長

  • High Voltage Handling: Capable of handling high voltage levels.
  • Fast Switching Speed: Offers fast switching for efficient power control.
  • Low Saturation Voltage: Reduces power loss during operation.
  • Dual Collector Terminals: Allows for additional current handling capacity.

Note: Comprehensive technical details can be available in the IRG4BC30UDPBF datasheet.

応用

  • Power Inverters: Used in inverters for converting DC to AC power.
  • Motor Drives: Applied in motor control circuits for efficient speed and direction control.
  • Switching Power Supplies: Integrated into circuits for power supply applications.


Functionality


The IRG4BC30UDPBF operates as a high-voltage, high-current switch, allowing efficient control of power flow in electronic circuits.


Equivalents/Alternatives


IRG4BC30U: Similar IGBT transistor with similar specifications.
IXGH30N60B: Alternative IGBT transistor suitable for similar applications.


Usage Guide

  • Refer to the official datasheet for comprehensive technical details.
  • Connect the transistor pins according to the provided pin configuration for the desired power electronics application.
  • Implement suitable gate drive circuitry for precise control.


Frequently Asked Questions


Q: What is the maximum voltage rating of the IRG4BC30UDPBF?
A: Refer to the datasheet for information on the maximum voltage rating.


Q: How to calculate power loss in the IGBT?
A: Consult the datasheet for guidelines on calculating power loss under different operating conditions.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid IRG4BC30UDPBF Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer Infineon
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 23 A
Collector-Emitter Voltage-Max 600 V Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 130 ns Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6 V
Gate-Emitter Voltage-Max 20 V JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON Turn-off Time-Nom (toff) 300 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 62 ns

同等部品

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

IRG4BC30UDPBF 同等部品

For the IRG4BC30UDPBF コンポーネント, これらの交換部品や代替部品をご検討ください。

モデル メーカー パッケージ/ケース 説明
IRG4BC30U Similar IGBT transistor with similar specifications
IXGH30N60B Alternative IGBT transistor suitable for similar applications

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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