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IRLD024PBF

Vishay IRLD024PBF N-channel MOSFET Transistor, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP

在庫:8,661

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概要 IRLD024PBF

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

主な特長

  • Low EMI Emissions
  • Robust Packaging
  • Excellent Thermal Resistance
  • Sophisticated Monitoring

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case DIP-4 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 2.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 10 V, + 10 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 18 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 1.3 W
Channel Mode Enhancement Brand Vishay / Siliconix
Configuration Single Fall Time 41 ns
Forward Transconductance - Min 3.7 S Height 3.37 mm
Length 6.29 mm Product Type MOSFET
Rise Time 110 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns Typical Turn-On Delay Time 11 ns
Width 5 mm Unit Weight 0.031537 oz

保証と返品

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