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IXFH32N50Q

IXFH32N50Q: N-Channel MOSFET in TO-247AD Package

在庫：9,345

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概要 IXFH32N50Q

With the IXFH32N50Q Power MOSFET, users can expect nothing less than top-notch quality and performance. Its unique design, part of the Q-Class series, ensures that it can handle a wide range of applications with ease. The low gate charge and fast intrinsic diode make it a versatile choice for both hard switching and resonant mode tasks. Whether in isolated or standard industrial packages, this MOSFET delivers the durability and efficiency required in today's demanding electronic systems

主な特長

  • Low saturation current
  • Fault detection circuitry
  • Rise and fall times matched
  • Internal surge protection diodes
  • High speed switching

応用

  • Stable output
  • Low leakage current
  • Overcurrent protection

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.16
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 32 Gate Charge (nC) 153
Input Capacitance, CISS (pF) 3950 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.35
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 357 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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