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IXFH16N80P

IXFH16N80P is an N-type MOSFET designed for high-power applications

在庫：5,430

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概要 IXFH16N80P

The Polar™ HiPerFETs (IXFH16N80P) represent a breakthrough in power semiconductor technology, offering unmatched performance in applications such as phase-shift bridges for motor control and uninterruptible power supplies (UPS). With a faster body diode and reduced reverse recovery time (trr), these HiPerFETs deliver superior efficiency and reliability

主な特長

  • Schottky Barrier Diode
  • Low Forward Voltage Drop
  • High Reverse Current Capability
  • Rise Time Less Than 50ns
  • Advantages:
  • Space Savings
  • Precise Control

応用

  • Resonant-mode power solutions
  • AC motor drive applications
  • Uninterrupted power source

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 800 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.6
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 16 Gate Charge (nC) 70
Input Capacitance, CISS (pF) 4000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.27
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 460 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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High Gain Amplification Technology
SBC817-25LT1G

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Automotive Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Low On-Resistance of 0.0105ohm
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00V radio frequency MOSFET
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Single N-Channel MOSFET with 60V voltage rating and 710mA current rating in SOT223 package
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Channel and P-Channel MOSFETs, compact SOT-363 package
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The IRF7478 is an N-channel MOSFET transistor designed for use in power applications
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High-power semiconductor device
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This MOSFET is designed to be used in automotive electronics due to its specific characteristics
SMMBT2222AWT1G

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-Pin SC-70 NPN Transistor 40V 0.6A