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MJ10012

High-power, high-voltage TOpackaged transistor with excellent performance

数量 単価(USD) 合計金額
1 $1.408 $1.41
10 $1.189 $11.89
30 $1.069 $32.07
100 $0.932 $93.20
500 $0.873 $436.50
1000 $0.845 $845.00

在庫：8,120

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概要 MJ10012

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 600 V 10 A 175 W Through Hole TO-3

主な特長

  • HV Darlington power amplifier/switch

応用

  • Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors Mfr NTE Electronics, Inc
Series - Package Bag
Product Status Active Transistor Type NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 3A, 6V Power - Max 175 W
Frequency - Transition - Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package TO-3

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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