MJ10001
Bipolar junction transistor of NPN type in TO-204AA package
在庫:5,478
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : MJ10001
-
パッケージ/ケース : TO-204AA
-
Brand : Solid State Inc.
-
Components Classification : Single Bipolar Transistors
-
日付シート : MJ10001 データシート (PDF)
概要 MJ10001
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 500 V 20 A 175 W Through Hole TO-3
主な特長
- Advanced noise reduction
- Low power consumption
- High speed processing
- Enhanced signal clarity
- Sophisticated control panel
- Robust error correction
応用
- Soft starters
- Power management systems
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Series | SWITCHMODE | Packaging | Bulk |
Part Status | Active | Transistor Type | NPN - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 1A, 20A | Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5A, 5V | Power - Max | 175 W |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-204AA, TO-3 | Supplier Device Package | TO-3 |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
MJ15023
Bipolar Transistors - BJT
MJ10002
NPN POWER BIPOLAR TRANSISTOR with a current rating of 10A
MJ16018
TO-204AA Bipolar Junction Transistor, NPN Type
MJ10022
MJ10022 - 40A NPN Darlington Transistors with ROHS Compliance
MJ11013
PNP Type Bipolar Junction Transistor, Darlington, TO-204AA
MJ11011
Darlington Bipolar Junction Transistor, PNP, TO-204AA
MJ10012
High-power, high-voltage TOpackaged transistor with excellent performance
MJ10023
TO-3 Bipolar Junction NPN Transistor rated for 250W Power Dissipation
MJ10009
This product is a NPN transistor with a collector-emitter voltage V(br)ceo of 500V and a power dissipation of 175W
CGHV31500F1
Power transistor for RF applications
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET with -30V Vds and 20V Vgs in SOT-23 package
NVMFD5C680NLWFT1G
ROHS compliant for environmental friendliness
IXFN64N60P
ROHS-approved SOT-227B MOSFETs
IXFK44N50P
With a gate-source threshold voltage of 5V at 4mA
NX3008CBKS,115
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.35A/0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
IXBP5N160G
Transistors with a 5 amp current limit and 1600V voltage withstand rating
MTB75N05HD
75A 50V SMT N-channel MOSFET, known as MTB75N05HD
T410-600B-TR
600 volt Triacs capable of handling 4.0 amps
MRFE6S9160HS
Single N-CDMA RF power transistor by NXP Semiconductors, operating at 880 MHz with 35 W average power and 28 V